Place of Origin:
CHINA
ブランド名:
KACISE
証明:
CE
Model Number:
KSGYR111M-S
| 属性 | 価値 |
|---|---|
| 供給電圧 VDDM | +2.7V~+3.6V |
| バイアス ZRL | ±1°/s (0 LSBタイプ) |
| 利回り範囲 I | ±400°/s |
| 非線形性NI | ±0.5%FS |
| 横軸感度 CS | ±5% |
KSGYR111M-SデジタルクォーツMEMS GYROチップは優れたバイアス出力安定性と低騒音を備えています.このデジタル・クォーツ・ジロスコップは,クォーツ・MEMS技術に基づいており,半導体処理技術を使用して製造されています..
| 電源パラメータ | ||
|---|---|---|
| 供給電圧 VDDM | +2.7V~+3.6V | |
| インターフェース VDDI の電源電圧 | +1.65V~+3.6V | |
| 製品性能 | ||
| スケールファクター So | 70 LSB/(°/s) ±2% | 16ビット,Ta=+25°C |
| 17920 LSB/(°/s) ±2% | 24ビット,Ta=+25°C | |
| 温度におけるスケールファクタルの変化 Spt | ±3% | VDDM=3V,Ta=+25°C 参照 |
| バイアス ZRL | ±1°/s (0 LSBタイプ) | Ta=+25°C |
| 温度A ZRLtaに対する偏差の変化 | ±0.25°/h | -10°C~+50°C,Ta=+25°C 基準 |
| 温度 B ZRLtb による偏差変化 | ±1°/h | -20°C~+80°C,Ta=+25°C参照 |
| 偏差温度係数ZRL | 0.0016 ((°/s) /°C (タイプ) | VDDM = 3V,絶対値の平均,ΔT=1°C |
| 利回り範囲 I | ±400°/s | |
| 非線形性NI | ±0.5%FS | Ta=+25°C |
| 横軸感度 CS | ±5% | Ta=+25°C |
| 現在の消費量 Iop1 | 900μAタイプ | |
| 睡眠電流 Iop3 | 3μAタイプ | |
| 騒音密度 Nd | 0.0015 (°/s) /√Hz | @ 10Hz LPF デフォルト設定 |
| ランダムな歩行角度 N | 0.065°/√h | |
| 環境仕様 | ||
| 動作温度TOPR | -20°C+80°C | |
| 保存温度 TSTG | -40°C+85°C | |
単位:mm
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